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Vedi Specifiche Tecniche

SI2393DS-T1-GE3 +BOM

Transistor MOSFET P-CH 30V 7.5A 3-Pin SOT-23 T/R

Produttore:

VISHAY
ProduttorePart #:

SI2393DS-T1-GE3
Scheda dati:

SI2393DS-T1-GE3 Scheda dati (PDF)
Part Life Cycle Code:

Active
Reach Compliance Code:

compliant
ECCN Code:

EAR99
Factory Lead Time:

68 Weeks
EDA/CAD Modelli:

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SI2393DS-T1-GE3 Descrizione generale

P-Channel 30 V 6.1A (Ta), 7.5A (Tc) 1.3W (Ta), 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

Caratteristiche principali

New high-side driver design
Increased voltage regulation performance
Advanced thermal monitoring capabilities
Silicon-based power conversion solutions
Fully integrated power management modules
Rapid prototyping and testing tools

Applicazione

SWITCHING

Specifiche

Part Life Cycle Code	Active	Reach Compliance Code	compliant
ECCN Code	EAR99	Factory Lead Time	68 Weeks
Date Of Intro	2019-05-14	Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min	30 V	Drain Current-Max (ID)	6.9 A
Drain-source On Resistance-Max	0.0227 Ω	FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Feedback Cap-Max (Crss)	55 pF	JEDEC-95 Code	TO-236AB
JESD-30 Code	R-PDSO-G3	JESD-609 Code	e3
Moisture Sensitivity Level	1	Number of Elements	1
Number of Terminals	3	Operating Mode	ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max	150 °C	Operating Temperature-Min	-55 °C
Peak Reflow Temperature (Cel)	260	Polarity/Channel Type	P-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs)	2.5 W	Surface Mount	YES
Terminal Finish	MATTE TIN	Terminal Form	GULL WING
Terminal Position	DUAL	Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	30
Transistor Application	SWITCHING	Transistor Element Material	SILICON

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

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