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SI2377EDS-T1-GE3 +BOM

P-Channel 20 V (D-S) MOSFET

Produttore:

VISHAY
ProduttorePart #:

SI2377EDS-T1-GE3
Scheda dati:

SI2377EDS-T1-GE3 Scheda dati (PDF)
Series:

TrenchFET®
FET Type:

P-Channel
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

20 V
EDA/CAD Modelli:

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SI2377EDS-T1-GE3 Descrizione generale

Ideal for use as a switch or amplifier in electronic devices, the SI2377EDS-T1-GE3 transistor is easy to integrate into circuit designs and offers precise control over current flow. Its P-channel design and single-element construction make it versatile and compatible with a wide range of applications. Whether used in consumer electronics, industrial equipment, or automotive systems, this MOSFET transistor delivers consistent and reliable performance

Caratteristiche principali

Ultra-Low Noise Amplifier
Fast Overvoltage Protection
Advanced Current Limiting

Applicazione

1. Power management circuitry
2. Load switching
3. Battery protection
4. Voltage regulation
5. Motor control

Specifiche

Series	TrenchFET®	FET Type	P-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	Drain to Source Voltage (Vdss)	20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	4.4A (Tc)	Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	61mOhm @ 3.2A, 4.5V	Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	21 nC @ 8 V	Vgs (Max)	±8V
FET Feature	-	Power Dissipation (Max)	1.25W (Ta), 1.8W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	Mounting Type	Surface Mount
Base Product Number	SI2377

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