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SI2371EDS-T1-BE3 +BOM

P Channel SOT-23 MOSFETs with 30V and 45mΩ at 3.7A

Produttore:

Vishay
ProduttorePart #:

SI2371EDS-T1-BE3
Scheda dati:

SI2371EDS-T1-BE3 Scheda dati (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

P-Channel
Number Of Channels:

1 Channel
EDA/CAD Modelli:

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SI2371EDS-T1-BE3 Descrizione generale

P-Channel 30 V 3.7A (Ta), 4.8A (Tc) 1W (Ta), 1.7W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

Specifiche

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Transistor Polarity	P-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	30 V
Id - Continuous Drain Current	4.8 A	Rds On - Drain-Source Resistance	45 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 12 V, + 12 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	1.5 V
Qg - Gate Charge	10.6 nC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	1.7 W
Channel Mode	Enhancement	Configuration	Single
Fall Time	52 ns	Product Type	MOSFET
Rise Time	8 ns	Factory Pack Quantity	3000
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	1 P-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	52 ns	Typical Turn-On Delay Time	28 ns
Part # Aliases	SI2371EDS-T1-GE3	Unit Weight	0.000282 oz

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