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SI2356DS-T1-GE3 +BOM

channel operation

SI2356DS-T1-GE3 Descrizione generale

Meet the SI2356DS-T1-GE3, a high-performance N-Channel MOSFET transistor that can handle a continuous drain current of 4.3A and a drain-source voltage of 40V. Its low on-resistance of 0.042ohm at a test voltage of 10V ensures minimal power loss and maximum efficiency in your circuit designs. With a threshold voltage of 1.5V, this transistor provides precise control and reliable operation, making it an ideal choice for demanding applications where performance and reliability are crucial

Caratteristiche principali

  • None
  • Applicazione

    DC/DC Converter |Load Switch |LED Backlighting |Power Management

    Specifiche

    Product Category MOSFET Technology Si
    Mounting Style SMD/SMT Transistor Polarity N-Channel
    Number of Channels 1 Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 40 V
    Id - Continuous Drain Current 4.3 A Rds On - Drain-Source Resistance 51 mOhms
    Vgs - Gate-Source Voltage - 12 V, + 12 V Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 1.5 V
    Qg - Gate Charge 3.8 nC Minimum Operating Temperature - 55 C
    Maximum Operating Temperature + 150 C Pd - Power Dissipation 1.7 W
    Channel Mode Enhancement Tradename TrenchFET
    Series SI2 Configuration Single
    Fall Time 6 ns Height 1.45 mm
    Length 2.9 mm Product Type MOSFET
    Rise Time 12 ns Factory Pack Quantity 3000
    Subcategory MOSFETs Transistor Type 1 N-Channel
    Typical Turn-Off Delay Time 13 ns Typical Turn-On Delay Time 6 ns
    Width 1.6 mm Part # Aliases SI2356DS-T1-BE3
    Unit Weight 0.000282 oz

    Politiche di servizio e altro

    Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

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