Questo sito web utilizza i cookie. Utilizzando questo sito, acconsenti all'utilizzo dei cookie. Per ulteriori informazioni, dai un'occhiata al nostro politica sulla riservatezza.

Le immagini servono solo come riferimento,

Vedi Specifiche Tecniche

SI2343CDS-T1-GE3 +BOM

SI2343CDS-T1-GE3 is a P-channel 30-V (D-S) MOSFET

Produttore:

Vishay
ProduttorePart #:

SI2343CDS-T1-GE3
Scheda dati:

SI2343CDS-T1-GE3 Scheda dati (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

P-Channel
Number Of Channels:

1 Channel
EDA/CAD Modelli:

Richiedi modelli CAD gratuiti per SI2343CDS-T1-GE3

SI2343CDS-T1-GE3 Descrizione generale

The SI2343CDS-T1-GE3 MOSFET is a high-quality electronic component designed for demanding power management and switching applications. Its P-channel transistor polarity, combined with a continuous drain current of -5.9A and a drain-source voltage of -30V, allows for efficient and reliable performance. With an on-resistance of 0.037ohm and a maximum power dissipation of 2.5W, this MOSFET is capable of handling high-power tasks while maintaining thermal stability. The SOT-23 package with 3 pins ensures easy integration into compact designs, while the wide operating temperature range of -55°C to 150°C makes it suitable for use in various environments. Its MSL rating indicates compatibility with lead-free soldering processes, further enhancing its versatility and reliability

Caratteristiche principali

None

Applicazione

Load Switch |Notebook Adaptor Switch |DC/DC Converter

Specifiche

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Transistor Polarity	P-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	30 V
Id - Continuous Drain Current	5.9 A	Rds On - Drain-Source Resistance	45 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	2.5 V
Qg - Gate Charge	7 nC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	2.5 W
Channel Mode	Enhancement	Tradename	TrenchFET
Series	SI2	Configuration	Single
Fall Time	8 ns	Product Type	MOSFET
Rise Time	10 ns	Factory Pack Quantity	3000
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	1 P-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	18 ns	Typical Turn-On Delay Time	8 ns
Part # Aliases	SI2343CDS-T1-BE3 SI2343CDS-GE3	Unit Weight	0.000282 oz

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

Pagamento

Metodo di pagamento

TT/bonifico bancario

PayPal

Western Union

Grammo dei soldi

Per canali di pagamento alternativi, contattaci a:

[email protected]

Spedizione e imballaggio

metodo di spedizione

Fedex

UPS

DHL

NTN

Imballaggio

AVAQ determina e confeziona tutti i dispositivi in base ai requisiti di protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD) e il livello di sensibilità all'umidità (MSL)..