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Vedi Specifiche Tecniche

SI2337DS-T1-E3 +BOM

High-power and high-speed switching for modern electronics

Produttore:

Vishay
ProduttorePart #:

SI2337DS-T1-E3
Scheda dati:

SI2337DS-T1-E3 Scheda dati (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

P-Channel
Number Of Channels:

1 Channel
EDA/CAD Modelli:

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SI2337DS-T1-E3 Descrizione generale

Product SI2337DS-T1-E3 is a MOSFET transistor with P-channel polarity. It has a continuous drain current of -2.2A and a drain source voltage of -80V. The on-resistance (Rds(on)) is 0.216ohm, with a test voltage of -10V. The power dissipation is rated at 760mW, making it suitable for a wide range of applications

Caratteristiche principali

TrenchFET® power MOSFET

Applicazione

SWITCHING

Specifiche

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Transistor Polarity	P-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	80 V
Id - Continuous Drain Current	2.2 A	Rds On - Drain-Source Resistance	270 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	2 V
Qg - Gate Charge	17 nC	Minimum Operating Temperature	- 50 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	2.5 W
Channel Mode	Enhancement	Tradename	TrenchFET
Series	SI2	Configuration	Single
Fall Time	12 ns	Forward Transconductance - Min	4.3 S
Height	1.45 mm	Length	2.9 mm
Product Type	MOSFET	Rise Time	15 ns
Factory Pack Quantity	3000	Subcategory	MOSFETs
Transistor Type	1 P-Channel	Typical Turn-Off Delay Time	20 ns
Typical Turn-On Delay Time	10 ns	Width	1.6 mm
Part # Aliases	SI2337DS-T1-BE3 SI2337DS-E3	Unit Weight	0.000282 oz

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