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P Channel SOT-23 MOSFET with a voltage rating of 12V and a current handling capability of 6A at 28mΩ resistance when operated at 4.5V
SOT-23-3Produttore:
ProduttorePart #:
SI2333DDS-T1-GE3
Scheda dati:
Technology:
Si
Mounting Style:
SMD/SMT
Transistor Polarity:
P-Channel
Number Of Channels:
1 Channel
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The SI2333DDS-T1-GE3 is a small signal field-effect transistor designed for high performance in a variety of electronic applications. With a 6A I(D) and 12V capacity, this P-channel silicon MOSFET is built for reliability and efficiency. The TO-236AB package and halogen-free, RoHS compliant construction make it a sustainable choice for environmentally conscious projects. The 3-pin configuration of the TO-236 package ensures easy integration into existing circuitry, while the metal-oxide semiconductor design provides robustness and stability in operation. Whether used in amplifiers, voltage regulators, or other electronic devices, the SI2333DDS-T1-GE3 offers a compact and dependable solution for small signal switching needs
Product Category | MOSFET | Technology | Si |
Mounting Style | SMD/SMT | Transistor Polarity | P-Channel |
Number of Channels | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 12 V |
Id - Continuous Drain Current | 6 A | Rds On - Drain-Source Resistance | 23 mOhms |
Vgs - Gate-Source Voltage | - 8 V, + 8 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 1 V |
Qg - Gate Charge | 9 nC | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
Maximum Operating Temperature | + 150 C | Pd - Power Dissipation | 1.7 W |
Channel Mode | Enhancement | Tradename | TrenchFET |
Series | SI2 | Configuration | Single |
Fall Time | 20 ns | Height | 1.45 mm |
Length | 2.9 mm | Product Type | MOSFET |
Rise Time | 24 ns | Factory Pack Quantity | 3000 |
Subcategory | MOSFETs | Transistor Type | 1 P-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time | 45 ns | Typical Turn-On Delay Time | 26 ns |
Width | 1.6 mm | Part # Aliases | SI2333DDS-T1-BE3 |
Unit Weight | 0.000282 oz |
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