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SI2333DDS-T1-GE3 +BOM

P Channel SOT-23 MOSFET with a voltage rating of 12V and a current handling capability of 6A at 28mΩ resistance when operated at 4.5V

SI2333DDS-T1-GE3 Descrizione generale

The SI2333DDS-T1-GE3 is a small signal field-effect transistor designed for high performance in a variety of electronic applications. With a 6A I(D) and 12V capacity, this P-channel silicon MOSFET is built for reliability and efficiency. The TO-236AB package and halogen-free, RoHS compliant construction make it a sustainable choice for environmentally conscious projects. The 3-pin configuration of the TO-236 package ensures easy integration into existing circuitry, while the metal-oxide semiconductor design provides robustness and stability in operation. Whether used in amplifiers, voltage regulators, or other electronic devices, the SI2333DDS-T1-GE3 offers a compact and dependable solution for small signal switching needs

Caratteristiche principali

  • None
  • Applicazione

    Smart Phones and Tablet PCs - Load Switch - Battery Switch

    Specifiche

    Product Category MOSFET Technology Si
    Mounting Style SMD/SMT Transistor Polarity P-Channel
    Number of Channels 1 Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 12 V
    Id - Continuous Drain Current 6 A Rds On - Drain-Source Resistance 23 mOhms
    Vgs - Gate-Source Voltage - 8 V, + 8 V Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 1 V
    Qg - Gate Charge 9 nC Minimum Operating Temperature - 55 C
    Maximum Operating Temperature + 150 C Pd - Power Dissipation 1.7 W
    Channel Mode Enhancement Tradename TrenchFET
    Series SI2 Configuration Single
    Fall Time 20 ns Height 1.45 mm
    Length 2.9 mm Product Type MOSFET
    Rise Time 24 ns Factory Pack Quantity 3000
    Subcategory MOSFETs Transistor Type 1 P-Channel
    Typical Turn-Off Delay Time 45 ns Typical Turn-On Delay Time 26 ns
    Width 1.6 mm Part # Aliases SI2333DDS-T1-BE3
    Unit Weight 0.000282 oz

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