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SI2333DDS-T1-BE3 +BOM

This MOSFET boasts a minimal on-resistance of 28 milliohms at 5 amps under a 12-volt condition, ensuring efficient power delivery

Produttore:

Vishay
ProduttorePart #:

SI2333DDS-T1-BE3
Scheda dati:

SI2333DDS-T1-BE3 Scheda dati (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

P-Channel
Number Of Channels:

1 Channel
EDA/CAD Modelli:

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SI2333DDS-T1-BE3 Descrizione generale

P-Channel 12 V 5A (Ta), 6A (Tc) 1.2W (Ta), 1.7W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

Specifiche

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Transistor Polarity	P-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	12 V
Id - Continuous Drain Current	6 A	Rds On - Drain-Source Resistance	23 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 8 V, + 8 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	1 V
Qg - Gate Charge	9 nC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	1.7 W
Channel Mode	Enhancement	Configuration	Single
Fall Time	20 ns	Product Type	MOSFET
Rise Time	24 ns	Factory Pack Quantity	3000
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	1 P-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	45 ns	Typical Turn-On Delay Time	26 ns
Part # Aliases	SI2333DDS-T1-GE3	Unit Weight	0.000282 oz

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