Questo sito web utilizza i cookie. Utilizzando questo sito, acconsenti all'utilizzo dei cookie. Per ulteriori informazioni, dai un'occhiata al nostro politica sulla riservatezza.

Le immagini servono solo come riferimento,

Vedi Specifiche Tecniche

SI2319DS-T1-GE3 +BOM

MOSFET with a voltage rating of 40V, current capacity of 3.0A, power dissipation of 1.25W, and a low on-resistance of 82mohm at 10V

Produttore:

Vishay
ProduttorePart #:

SI2319DS-T1-GE3
Scheda dati:

SI2319DS-T1-GE3 Scheda dati (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

P-Channel
Number Of Channels:

1 Channel
EDA/CAD Modelli:

Richiedi modelli CAD gratuiti per SI2319DS-T1-GE3

SI2319DS-T1-GE3 Descrizione generale

The SI2319DS-T1-GE3 P-channel MOSFET transistor is a versatile component suitable for a variety of electronic applications. With a continuous drain current rating of -2.3A and a drain-source voltage limit of -40V, this MOSFET delivers reliable performance in voltage regulation and power management circuits. The on-resistance Rds(on) is specified at 65mohm, with a test voltage of -10V, ensuring efficient current flow and minimal power losses. The threshold voltage Vgs Typ is -3V, making it ideal for low-power applications that require precise voltage control. Moreover, with a power dissipation rating of 750mW, this P-channel MOSFET transistor can handle moderate power levels while maintaining stable operation

Caratteristiche principali

None

Applicazione

SWITCHING

Specifiche

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Transistor Polarity	P-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	40 V
Id - Continuous Drain Current	2.3 A	Rds On - Drain-Source Resistance	82 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	3 V
Qg - Gate Charge	11.3 nC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	750 mW
Channel Mode	Enhancement	Tradename	TrenchFET
Series	SI2	Configuration	Single
Fall Time	25 ns	Height	1.45 mm
Length	2.9 mm	Product Type	MOSFET
Rise Time	15 ns	Factory Pack Quantity	3000
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	1 P-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	25 ns	Typical Turn-On Delay Time	7 ns
Width	1.6 mm	Part # Aliases	SI2319DS-T1-BE3 SI2319DS-GE3
Unit Weight	0.000282 oz

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

Pagamento

Metodo di pagamento

TT/bonifico bancario

PayPal

Western Union

Grammo dei soldi

Per canali di pagamento alternativi, contattaci a:

[email protected]

Spedizione e imballaggio

metodo di spedizione

Fedex

UPS

DHL

NTN

Imballaggio

AVAQ determina e confeziona tutti i dispositivi in base ai requisiti di protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD) e il livello di sensibilità all'umidità (MSL)..