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SI2315BDS-T1-E3 +BOM

Features: SI2315BDS-T1-E3 is a P-channel MOSFET crafted for applications demanding a maximum voltage of 12V and a current rating of 3A

Produttore:

VISHAY
ProduttorePart #:

SI2315BDS-T1-E3
Scheda dati:

SI2315BDS-T1-E3 Scheda dati (PDF)
Part Life Cycle Code:

Not Recommended
Reach Compliance Code:

compliant
Configuration:

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min:

12 V
EDA/CAD Modelli:

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SI2315BDS-T1-E3 Descrizione generale

P-Channel 12 V 3A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

Caratteristiche principali

Halogen-free Option Available
TrenchFET® Power MOSFETs: 1.8 V Rated

Specifiche

Part Life Cycle Code	Not Recommended	Reach Compliance Code	compliant
Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	DS Breakdown Voltage-Min	12 V
Drain Current-Max (ID)	3 A	Drain-source On Resistance-Max	0.05 Ω
FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	Feedback Cap-Max (Crss)	200 pF
JEDEC-95 Code	TO-236AB	JESD-30 Code	R-PDSO-G3
JESD-609 Code	e3	Moisture Sensitivity Level	1
Number of Elements	1	Number of Terminals	3
Operating Mode	ENHANCEMENT MODE	Operating Temperature-Max	150 °C
Operating Temperature-Min	-55 °C	Peak Reflow Temperature (Cel)	260
Polarity/Channel Type	P-CHANNEL	Power Dissipation-Max (Abs)	0.75 W
Qualification Status	Not Qualified	Surface Mount	YES
Terminal Finish	MATTE TIN	Terminal Form	GULL WING
Terminal Position	DUAL	Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	30
Transistor Element Material	SILICON

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

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