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SI2312CDS-T1-GE3 +BOM

Small Signal Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 40V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB

SI2312CDS-T1-GE3 Descrizione generale

The SI2312CDS-T1-GE3 is a N-channel MOSFET with a continuous drain current of 6A and a Drain-Source Voltage of 20V. It has an on-resistance of 26.5mΩ and a maximum power dissipation of 1.25W. This MOSFET is designed for use in a wide operating temperature range of -55°C to +150°C and comes in a SOT-23 transistor case style with 3 pins

Caratteristiche principali

  • TrenchFET® power MOSFET
  • 100% Rg tested
  • Specifiche

    Product Category MOSFET Technology Si
    Mounting Style SMD/SMT Transistor Polarity N-Channel
    Number of Channels 1 Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 20 V
    Id - Continuous Drain Current 6 A Rds On - Drain-Source Resistance 31.8 mOhms
    Vgs - Gate-Source Voltage - 8 V, + 8 V Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 1 V
    Qg - Gate Charge 8.8 nC Minimum Operating Temperature - 55 C
    Maximum Operating Temperature + 150 C Pd - Power Dissipation 2.1 W
    Channel Mode Enhancement Tradename TrenchFET
    Series SI2 Configuration Single
    Fall Time 8 ns Height 1.45 mm
    Length 2.9 mm Product Type MOSFET
    Rise Time 17 ns Factory Pack Quantity 3000
    Subcategory MOSFETs Transistor Type 1 N-Channel
    Typical Turn-Off Delay Time 31 ns Typical Turn-On Delay Time 8 ns
    Width 1.6 mm Part # Aliases SI2312CDS-T1-BE3 SI2312CDS-GE3 SI7621DN-T1-GE3
    Unit Weight 0.000282 oz

    Politiche di servizio e altro

    Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

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