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SI2309DS +BOM

TO-236 Packaged P-Channel 60V MOSFET

Produttore:

Rectron
ProduttorePart #:

SI2309DS
Scheda dati:

SI2309DS Scheda dati (PDF)
Technology:

Si
Factory Pack Quantity:

3000
EDA/CAD Modelli:

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SI2309DS Descrizione generale

Housed in a TO-252 package, the SI2309DS offers excellent thermal stability and easy mounting on PCBs. Its gate-source voltage threshold of -2.5V makes it perfect for battery-powered devices, where energy efficiency is a must. Furthermore, with a maximum junction temperature of 150°C, this transistor can withstand harsh operating conditions without compromising performance

Caratteristiche principali

High-current handling capability
Pulse duration modulation supported
Wide operating temperature range
Enhanced electromagnetic immunity
Safe-start functionality enabled
Advanced overcurrent protection

Applicazione

LED lighting systems
Smart home devices
Wireless communication
Medical equipment
Sensor networks
Environmental monitoring

Specifiche

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Product Type	MOSFET	Factory Pack Quantity	3000
Subcategory	MOSFETs

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

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AVAQ determina e confeziona tutti i dispositivi in base ai requisiti di protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD) e il livello di sensibilità all'umidità (MSL)..