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Vedi Specifiche Tecniche

SI2308CDS-T1-GE3 +BOM

Small signal field-effect transistor

Produttore:

Vishay
ProduttorePart #:

SI2308CDS-T1-GE3
Scheda dati:

SI2308CDS-T1-GE3 Scheda dati (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

N-Channel
Number Of Channels:

1 Channel
EDA/CAD Modelli:

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SI2308CDS-T1-GE3 Descrizione generale

N-Channel 60 V 2.6A (Tc) 1.6W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

Caratteristiche principali

Low on-state resistance
High frequency switching
Ruggedized package design

Applicazione

SWITCHING

Specifiche

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	60 V
Id - Continuous Drain Current	2.6 A	Rds On - Drain-Source Resistance	200 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	3 V
Qg - Gate Charge	2 nC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	1.6 W
Channel Mode	Enhancement	Series	Si2308CDS
Configuration	Single	Fall Time	16 ns
Forward Transconductance - Min	3.2 S	Product Type	MOSFET
Rise Time	25 ns	Factory Pack Quantity	3000
Subcategory	MOSFETs	Typical Turn-Off Delay Time	10 ns
Typical Turn-On Delay Time	23 ns	Unit Weight	0.000282 oz

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