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Vedi Specifiche Tecniche

SI2308BDS-T1-E3 +BOM

Low on-resistance of 156mΩ at 10V

Produttore:

Vishay
ProduttorePart #:

SI2308BDS-T1-E3
Scheda dati:

SI2308BDS-T1-E3 Scheda dati (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

N-Channel
Number Of Channels:

1 Channel
EDA/CAD Modelli:

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SI2308BDS-T1-E3 Descrizione generale

N-Channel 60 V 2.3A (Tc) 1.09W (Ta), 1.66W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

Caratteristiche principali

Halogen-free according to IEC 61249-2-21 available,TrenchFET® power MOSFET,100 % Rg and UIS tested

Applicazione

Battery Switch |DC/DC Converter

Specifiche

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	60 V
Id - Continuous Drain Current	2.3 A	Rds On - Drain-Source Resistance	156 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	1 V
Qg - Gate Charge	6.8 nC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	1.66 W
Channel Mode	Enhancement	Tradename	TrenchFET
Series	SI2	Configuration	Single
Fall Time	7 ns	Forward Transconductance - Min	5 S
Product Type	MOSFET	Rise Time	10 ns
Factory Pack Quantity	3000	Subcategory	MOSFETs
Transistor Type	1 N-Channel	Typical Turn-Off Delay Time	10 ns
Typical Turn-On Delay Time	4 ns	Part # Aliases	SI2308BDS-T1-BE3 SI2308BDS-E3
Unit Weight	0.000282 oz

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