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SI2307CDS-T1-GE3 +BOM

-30V drain-source voltage MOSFET with 20V gate-source voltage in SOT-23 package

SI2307CDS-T1-GE3 Descrizione generale

The SI2307CDS-T1-GE3 MOSFET is ideal for various applications requiring P-channel transistors, such as power management, load switching, and DC-DC converters. Its high current and voltage capabilities, low on-resistance, and efficient power dissipation make it a reliable choice for electronic designs where space and heat are critical concerns. With its SOT-23 case style, it can be easily mounted on circuit boards for efficient thermal management

Caratteristiche principali

  • Advanced thermal management system
  • Low EMI and RFI emission
  • Fault-tolerant circuit design
  • Surge protection diode integration

Applicazione

SWITCHING

Specifiche

Product Category MOSFET Technology Si
Mounting Style SMD/SMT Transistor Polarity P-Channel
Number of Channels 1 Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 30 V
Id - Continuous Drain Current 3.5 A Rds On - Drain-Source Resistance 88 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage - 20 V, + 20 V Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 3 V
Qg - Gate Charge 4.1 nC Minimum Operating Temperature - 55 C
Maximum Operating Temperature + 150 C Pd - Power Dissipation 1.8 W
Channel Mode Enhancement Tradename TrenchFET
Series SI2 Configuration Single
Fall Time 7.7 ns Height 1.45 mm
Length 2.9 mm Product Type MOSFET
Rise Time 13 ns Factory Pack Quantity 3000
Subcategory MOSFETs Transistor Type 1 P-Channel
Typical Turn-Off Delay Time 17 ns Typical Turn-On Delay Time 5.5 ns
Width 1.6 mm Part # Aliases SI2307CDS-T1-BE3 SI2307CDS-GE3
Unit Weight 0.000282 oz

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