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SI2307CDS-T1-E3 +BOM

MOSFET -30V Vds 20V Vgs SOT-23

Produttore:

VISHAY
ProduttorePart #:

SI2307CDS-T1-E3
Scheda dati:

SI2307CDS-T1-E3 Scheda dati (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

P-Channel
Number Of Channels:

1 Channel
EDA/CAD Modelli:

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SI2307CDS-T1-E3 Descrizione generale

TRANSISTOR 3500 mA, 30 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB, ROHS COMPLIANT, TO-236, 3 PIN, FET General Purpose Small Signal

Caratteristiche principali

Economic power MOSFET
Fast response time FET
Low inductance package

Specifiche

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Transistor Polarity	P-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	30 V
Id - Continuous Drain Current	3.5 A	Rds On - Drain-Source Resistance	88 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	1 V
Qg - Gate Charge	4.1 nC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	1.8 W
Channel Mode	Enhancement	Tradename	TrenchFET
Series	SI2	Configuration	Single
Fall Time	7.7 ns	Forward Transconductance - Min	7 S
Product Type	MOSFET	Rise Time	13 ns
Factory Pack Quantity	3000	Subcategory	MOSFETs
Transistor Type	1 P-Channel	Typical Turn-Off Delay Time	17 ns
Typical Turn-On Delay Time	5.5 ns	Part # Aliases	SI2307CDS-T1-BE3 SI2307CDS-E3
Unit Weight	0.000282 oz

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