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SI2307BDS-T1-E3 +BOM

This product is compactly designed in a SOT-23 package for easy integration into circuit designs

Produttore:

Vishay
ProduttorePart #:

SI2307BDS-T1-E3
Scheda dati:

SI2307BDS-T1-E3 Scheda dati (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

P-Channel
Number Of Channels:

1 Channel
EDA/CAD Modelli:

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SI2307BDS-T1-E3 Descrizione generale

Product SI2307BDS-T1-E3 is a robust P Channel Mosfet designed to handle a maximum drain source voltage of 30V with a continuous drain current of 2.5A. This Surface Mount transistor comes in a TO-236 package and is ideal for various applications requiring high power efficiency. With a low Rds(On) test voltage of 10V, this MOSFET offers efficient power management capabilities. The maximum gate source threshold voltage is 3V, ensuring reliable performance in different circuit configurations

Caratteristiche principali

Premium Power Management
Compact Design Technology
Sustainable Energy Solutions

Applicazione

Smart home devices
Power distribution systems
Robotics technology

Specifiche

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Transistor Polarity	P-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	30 V
Id - Continuous Drain Current	2.5 A	Rds On - Drain-Source Resistance	78 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	3 V
Qg - Gate Charge	9 nC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	750 mW
Channel Mode	Enhancement	Tradename	TrenchFET
Series	SI2	Configuration	Single
Fall Time	14 ns	Height	1.45 mm
Length	2.9 mm	Product Type	MOSFET
Rise Time	12 ns	Factory Pack Quantity	3000
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	1 P-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	25 ns	Typical Turn-On Delay Time	9 ns
Width	1.6 mm	Part # Aliases	SI2307BDS-T1-BE3 SI2307BDS-E3
Unit Weight	0.000282 oz

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