Questo sito web utilizza i cookie. Utilizzando questo sito, acconsenti all'utilizzo dei cookie. Per ulteriori informazioni, dai un'occhiata al nostro politica sulla riservatezza.

Le immagini servono solo come riferimento,

Vedi Specifiche Tecniche

SI2303BDS-T1-E3 +BOM

Small Signal Field-Effect Transistor, 1.49A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236

Produttore:

Vishay
ProduttorePart #:

SI2303BDS-T1-E3
Scheda dati:

SI2303BDS-T1-E3 Scheda dati (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

SMD/SMT
Tradename:

TrenchFET
Series:

SI2
EDA/CAD Modelli:

Richiedi modelli CAD gratuiti per SI2303BDS-T1-E3

SI2303BDS-T1-E3 Descrizione generale

The SI2303BDS-T1-E3 is a P-channel MOSFET that operates at 30 volts with a continuous drain current of 1.49A. This small signal field-effect transistor is designed for use in various electronic applications where efficient power management is crucial. With its TO-236 packaging, this silicon-based FET offers reliable performance and durability

Caratteristiche principali

Halogen-free Option Available

Specifiche

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Tradename	TrenchFET
Series	SI2	Height	1.45 mm
Length	2.9 mm	Product Type	MOSFET
Factory Pack Quantity	3000	Subcategory	MOSFETs
Width	1.6 mm	Part # Aliases	SI2303BDS-E3
Unit Weight	0.000282 oz

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

Pagamento

Metodo di pagamento

TT/bonifico bancario

PayPal

Western Union

Grammo dei soldi

Per canali di pagamento alternativi, contattaci a:

[email protected]

Spedizione e imballaggio

metodo di spedizione

Fedex

UPS

DHL

NTN

Imballaggio

AVAQ determina e confeziona tutti i dispositivi in base ai requisiti di protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD) e il livello di sensibilità all'umidità (MSL)..