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SI2302DDS-T1-BE3 +BOM

N-Channel 20 V 2.6A (Ta) 710mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

Produttore:

Vishay
ProduttorePart #:

SI2302DDS-T1-BE3
Scheda dati:

SI2302DDS-T1-BE3 Scheda dati (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

N-Channel
Number Of Channels:

1 Channel
EDA/CAD Modelli:

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SI2302DDS-T1-BE3 Descrizione generale

N-Channel 20 V 2.6A (Ta) 710mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

Caratteristiche principali

Efficient switching device
High-performance power management
Low voltage drop operation
Silicon carbide MOSFET technology
Advanced thermal management system
Rapid recovery time characteristics

Specifiche

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	20 V
Id - Continuous Drain Current	2.9 A	Rds On - Drain-Source Resistance	57 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 8 V, + 8 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	850 mV
Qg - Gate Charge	3.5 nC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	860 mW
Channel Mode	Enhancement	Configuration	Single
Fall Time	7 ns	Product Type	MOSFET
Rise Time	7 ns	Factory Pack Quantity	3000
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	30 ns	Typical Turn-On Delay Time	8 ns
Part # Aliases	SI2302DDS-T1-GE3	Unit Weight	0.000282 oz

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