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SI2302CDS-T1-GE3 +BOM

N-channel 20V MOSFET with a 2.6A current rating in a SOT-23 package, part number SI2302CDS-T1-GE3

SI2302CDS-T1-GE3 Descrizione generale

The SI2302CDS-T1-GE3 is a N Channel Mosfet with a low On resistance of 0.045Ohm and a maximum Drain Source Voltage of 20V. This surface mount transistor has a maximum Continuous Drain Current of 2.9A and a Power Dissipation of 710mW. The Rds(On) Test Voltage is 2.5V, making it suitable for various applications. Please note that this product is not RoHS compliant

Caratteristiche principali

  • TrenchFET® power MOSFET
  • Applicazione

    Load Switching for Portable Devices |DC/DC Converter

    Specifiche

    Product Category MOSFET Technology Si
    Mounting Style SMD/SMT Transistor Polarity N-Channel
    Number of Channels 1 Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 20 V
    Id - Continuous Drain Current 2.9 A Rds On - Drain-Source Resistance 57 mOhms
    Vgs - Gate-Source Voltage - 8 V, + 8 V Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 850 mV
    Qg - Gate Charge 3.5 nC Minimum Operating Temperature - 55 C
    Maximum Operating Temperature + 150 C Pd - Power Dissipation 860 mW
    Channel Mode Enhancement Tradename TrenchFET
    Series SI2 Configuration Single
    Fall Time 7 ns Height 1.45 mm
    Length 2.9 mm Product Type MOSFET
    Rise Time 7 ns Factory Pack Quantity 3000
    Subcategory MOSFETs Transistor Type 1 N-Channel
    Typical Turn-Off Delay Time 30 ns Typical Turn-On Delay Time 8 ns
    Width 1.6 mm Part # Aliases SI2302CDS-T1-BE3 SI2302CDS-GE3
    Unit Weight 0.000282 oz

    Politiche di servizio e altro

    Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

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