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N-channel 20V MOSFET with a 2.6A current rating in a SOT-23 package, part number SI2302CDS-T1-GE3
SOT-23-3Produttore:
ProduttorePart #:
SI2302CDS-T1-GE3
Scheda dati:
Technology:
Si
Mounting Style:
SMD/SMT
Transistor Polarity:
N-Channel
Number Of Channels:
1 Channel
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The SI2302CDS-T1-GE3 is a N Channel Mosfet with a low On resistance of 0.045Ohm and a maximum Drain Source Voltage of 20V. This surface mount transistor has a maximum Continuous Drain Current of 2.9A and a Power Dissipation of 710mW. The Rds(On) Test Voltage is 2.5V, making it suitable for various applications. Please note that this product is not RoHS compliant
Product Category | MOSFET | Technology | Si |
Mounting Style | SMD/SMT | Transistor Polarity | N-Channel |
Number of Channels | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20 V |
Id - Continuous Drain Current | 2.9 A | Rds On - Drain-Source Resistance | 57 mOhms |
Vgs - Gate-Source Voltage | - 8 V, + 8 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 850 mV |
Qg - Gate Charge | 3.5 nC | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
Maximum Operating Temperature | + 150 C | Pd - Power Dissipation | 860 mW |
Channel Mode | Enhancement | Tradename | TrenchFET |
Series | SI2 | Configuration | Single |
Fall Time | 7 ns | Height | 1.45 mm |
Length | 2.9 mm | Product Type | MOSFET |
Rise Time | 7 ns | Factory Pack Quantity | 3000 |
Subcategory | MOSFETs | Transistor Type | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time | 30 ns | Typical Turn-On Delay Time | 8 ns |
Width | 1.6 mm | Part # Aliases | SI2302CDS-T1-BE3 SI2302CDS-GE3 |
Unit Weight | 0.000282 oz |
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Qtà. | Prezzo unitario | Est. Prezzo |
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