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N-Channel 20 V (D-S) MOSFET
SOT-23-3Produttore:
ProduttorePart #:
SI2302CDS-T1-BE3
Scheda dati:
Technology:
Si
Mounting Style:
SMD/SMT
Transistor Polarity:
N-Channel
Number Of Channels:
1 Channel
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One standout feature of the SI2302CDS-T1-BE3 is its continuous drain current of 2A, allowing it to handle moderate current loads with ease. Additionally, its low on-resistance of 0.08 ohms enhances power handling capabilities and minimizes power loss during switching operations. This makes the SI2302CDS-T1-BE3 a reliable choice for applications where efficiency is key
Product Category | MOSFET | Technology | Si |
Mounting Style | SMD/SMT | Transistor Polarity | N-Channel |
Number of Channels | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20 V |
Id - Continuous Drain Current | 2.9 A | Rds On - Drain-Source Resistance | 57 mOhms |
Vgs - Gate-Source Voltage | - 8 V, + 8 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 850 mV |
Qg - Gate Charge | 3.5 nC | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
Maximum Operating Temperature | + 150 C | Pd - Power Dissipation | 860 mW |
Channel Mode | Enhancement | Tradename | TrenchFET |
Configuration | Single | Fall Time | 7 ns |
Product Type | MOSFET | Rise Time | 7 ns |
Factory Pack Quantity | 3000 | Subcategory | MOSFETs |
Transistor Type | 1 N-Channel | Typical Turn-Off Delay Time | 30 ns |
Typical Turn-On Delay Time | 8 ns | Part # Aliases | SI2302CDS-T1-GE3 |
Unit Weight | 0.000282 oz |
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Qualità garantita
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Qtà. | Prezzo unitario | Est. Prezzo |
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