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SI2301CDS-T1-GE3 +BOM

With a threshold voltage of 1V at 250uA, this MOSFET offers efficient performance in low-power circuits

Produttore:

Vishay
ProduttorePart #:

SI2301CDS-T1-GE3
Scheda dati:

SI2301CDS-T1-GE3 Scheda dati (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

P-Channel
Number Of Channels:

1 Channel
EDA/CAD Modelli:

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SI2301CDS-T1-GE3 Descrizione generale

The SI2301CDS-T1-GE3 boasts a compact design and high efficiency, making it ideal for space-constrained applications where power consumption is a concern. Its low on resistance and high threshold voltage allow for precise control of current flow, resulting in improved overall performance. Whether used in consumer electronics, industrial equipment, or automotive systems, this transistor delivers consistent and dependable operation

Caratteristiche principali

None

Applicazione

SWITCHING

Specifiche

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Transistor Polarity	P-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	20 V
Id - Continuous Drain Current	3.1 A	Rds On - Drain-Source Resistance	112 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 8 V, + 8 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	1 V
Qg - Gate Charge	3.3 nC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	1.6 W
Channel Mode	Enhancement	Tradename	TrenchFET
Series	SI2	Configuration	Single
Fall Time	10 ns	Product Type	MOSFET
Rise Time	35 ns	Factory Pack Quantity	3000
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	1 P-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	30 ns	Typical Turn-On Delay Time	11 ns
Part # Aliases	SI2301CDS-T1-BE3 SI2301CDS-GE3	Unit Weight	0.000282 oz

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