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SI2301BDS-T1-GE3 +BOM

Tape and Reel Packaged P-Channel MOSFET, 20V, 2.2A, TO-236 Configuration"

Produttore:

VISHAY
ProduttorePart #:

SI2301BDS-T1-GE3
Scheda dati:

SI2301BDS-T1-GE3 Scheda dati (PDF)
Series:

TrenchFET®
FET Type:

P-Channel
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

20 V
EDA/CAD Modelli:

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SI2301BDS-T1-GE3 Descrizione generale

P-Channel 20 V 2.2A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

Caratteristiche principali

1. Transistor Type: P-Channel
2. Drain-Source Voltage (VDS): -20V
3. Continuous Drain Current (ID): -2.3A
4. Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)): -0.6V to -1.5V
5. Low On-Resistance (RDS(on)): 190mΩ maximum
6. Compact and SOT-23-3 package

Applicazione

1. Switching applications in power management circuits.
2. Battery protection circuits.
3. Load switching in portable devices.
4. DC-DC converters and inverters.
5. Motor control.

Specifiche

Series	TrenchFET®	FET Type	P-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	Drain to Source Voltage (Vdss)	20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	2.2A (Ta)	Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	100mOhm @ 2.8A, 4.5V	Vgs(th) (Max) @ Id	950mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	10 nC @ 4.5 V	Vgs (Max)	±8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	375 pF @ 6 V	FET Feature	-
Power Dissipation (Max)	700mW (Ta)	Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Base Product Number	SI2301

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