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SI1553CDL-T1-GE3 +BOM

SI1553CDL-T1-GE3 Dual N/P-channel MOSFET Transistor, 0.4A, 0.7A, 20V, 6-Pin SOT-363

  • Produttore:

    VISHAY

  • ProduttorePart #:

    SI1553CDL-T1-GE3

  • Scheda dati:

    SI1553CDL-T1-GE3 Scheda dati (PDF) pdf-icon

  • Technology:

    MOSFET (Metal Oxide)

  • Configuration:

    N and P-Channel

  • FET Feature:

    Logic Level Gate

  • Drain To Source Voltage (Vdss):

    20V

SI1553CDL-T1-GE3 Descrizione generale

The SI1553CDL-T1-GE3 is a versatile transistor with complementary N and P channel capabilities. Its specifications include a 20V drain source voltage Vds, a continuous drain current Id of 700mA, and an on resistance Rds(On) of 0.325Ohm. This surface mount transistor is equipped with an Rds(On) test voltage Vgs of 4.5V and has a total of 6 pins. It is important to note that this product is not RoHS compliant

Caratteristiche principali

  • This power MOSFET boasts a low on-resistance of 2.5mΩ
  • The SI15XX series offers high-frequency performance and reliability
  • Compact PowerPAK SO-8 package simplifies circuit integration
  • Suitable for DC-DC conversion, power supply, and motor control
  • This MOSFET excels in high-frequency DC-DC conversion applications
  • Power management solutions benefit from its low on-resistance design

Applicazione

["Load Switch ", "DC/DC Converter"]

Specifiche

Technology MOSFET (Metal Oxide) Configuration N and P-Channel
FET Feature Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 700mA, 500mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 390mOhm @ 700mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.8nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 38pF @ 10V Power - Max 340mW
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type Surface Mount

Politiche di servizio e altro

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