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SGW30N60 TO-247-3

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SGW30N60 TO-247-3

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SGW30N60 +BOM

The SGW30N60 from Infineon is an IGBT Transistor designed to handle currents up to 41A and voltages up to 600V

Produttore:

Infineon
ProduttorePart #:

SGW30N60
Scheda dati:

SGW30N60 Scheda dati (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

Through Hole
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

600 V
EDA/CAD Modelli:

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SGW30N60 Descrizione generale

In addition to its robust design, the SGW30N60 also boasts a range of built-in protection features that guarantee safe operation under varying conditions. From short-circuit to overcurrent and overtemperature protection, this power module has you covered. Plus, its low saturation voltage and minimal switching losses contribute to enhanced efficiency and reduced heat generation, leading to a more cost-effective and reliable solution for your power switching needs

sgw30n60

sgw30n60

Caratteristiche principali

Precise current sensing and monitoring
Overcurrent protection for safe operation
Robust against temperature variations

sgw30n60

sgw30n60

Applicazione

Powerful motor control
Efficient power factor
Reliable UPS system
Advanced inverter technology
Precise welding equipment
Energy-saving ballasts

sgw30n60

Specifiche

Product Category	IGBT Transistors	Technology	Si
Mounting Style	Through Hole	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	600 V	Maximum Gate Emitter Voltage	- 20 V, + 20 V
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Series	SGW30N60	Continuous Collector Current Ic Max	41 A
Height	20.95 mm	Length	15.9 mm
Product Type	IGBT Transistors	Factory Pack Quantity	240
Subcategory	IGBTs	Width	5.3 mm
Part # Aliases	SGW3N6XK SP000012467 SGW30N60FKSA1	Unit Weight	1.340411 oz

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G**n 08/18/2022

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LT4356HMS-3#TRPBF

In Stock: 6.771

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