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SCTWA60N12G2-4AG +BOM

Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 45 mOhm typ., 52 A in an HiP247-4 package

Produttore:

STMicroelectronics, Inc
ProduttorePart #:

SCTWA60N12G2-4AG
Scheda dati:

SCTWA60N12G2-4AG Scheda dati (PDF)
ECCN (US):

EAR99
ECCN (EU):

NEC
Packing Type:

Tube

E-mail: [email protected]

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

tel: +852 95804164

SCTWA60N12G2-4AG Descrizione generale

This silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s advanced and innovative 2ndgeneration SiC MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of switching loss is almost independent of junction temperature.

Caratteristiche principali

AEC-Q101 qualified
Very fast and robust intrinsic body diode
Extremely low gate charge and input capacitance
Very high operating junction temperature capability (T_J = 200 °C)
Source sensing pin for increased efficiency

Specifiche

Marketing Status	Active	ECCN (US)	EAR99
ECCN (EU)	NEC	Packing Type	Tube
Temperature (°C) min	-	Temperature (°C) max	-

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