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RSR020P05TL +BOM

P-Channel MOSFET with 4V Gate Drive

Produttore:

Rohm Semiconductor
ProduttorePart #:

RSR020P05TL
Scheda dati:

RSR020P05TL Scheda dati (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

P-Channel
Number Of Channels:

1 Channel
EDA/CAD Modelli:

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RSR020P05TL Descrizione generale

P-Channel 45 V 2A (Ta) 540mW (Ta) Surface Mount TSMT3

Caratteristiche principali

Maximum drain-source voltage of 45 V
Maximum drain current of 2 A
Maximum junction temperature of 55 C
Single channel
1 W P-Channel
SMD/SMT TSMT-3 package

Applicazione

SWITCHING

Specifiche

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Transistor Polarity	P-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	45 V
Id - Continuous Drain Current	2 A	Rds On - Drain-Source Resistance	130 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	3 V
Qg - Gate Charge	9.5 nC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	1 W
Channel Mode	Enhancement	Series	RSR020P05
Configuration	Single	Fall Time	10 ns
Forward Transconductance - Min	1.2 S	Product Type	MOSFET
Rise Time	10 ns	Factory Pack Quantity	3000
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	1 P-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	35 ns	Typical Turn-On Delay Time	8 ns
Part # Aliases	RSR020P05	Unit Weight	0.000423 oz

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