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RS1L120GNTB +BOM

This product is a N-channel MOSFET transistor capable of operating at 60V and handling currents up to ±36A

Produttore:

Rohm Semiconductor
ProduttorePart #:

RS1L120GNTB
Scheda dati:

RS1L120GNTB Scheda dati (PDF)
Part Life Cycle Code:

Not Recommended
Reach Compliance Code:

not_compliant
ECCN Code:

EAR99
Factory Lead Time:

53 Weeks, 1 Day
EDA/CAD Modelli:

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RS1L120GNTB Descrizione generale

N-Channel 60 V 12A (Ta), 36A (Tc) 3W (Ta) Surface Mount 8-HSOP

Applicazione

SWITCHING

Specifiche

Part Life Cycle Code	Not Recommended	Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN Code	EAR99	Factory Lead Time	53 Weeks, 1 Day
Avalanche Energy Rating (Eas)	10 mJ	Case Connection	DRAIN
Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	DS Breakdown Voltage-Min	60 V
Drain Current-Max (ID)	12 A	Drain-source On Resistance-Max	0.0198 Ω
FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 Code	R-PDSO-F5
JESD-609 Code	e3	Number of Elements	1
Number of Terminals	5	Operating Mode	ENHANCEMENT MODE
Peak Reflow Temperature (Cel)	NOT SPECIFIED	Polarity/Channel Type	N-CHANNEL
Pulsed Drain Current-Max (IDM)	48 A	Surface Mount	YES
Terminal Finish	Tin (Sn)	Terminal Form	FLAT
Terminal Position	DUAL	Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	NOT SPECIFIED
Transistor Application	SWITCHING	Transistor Element Material	SILICON

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

Pagamento

Metodo di pagamento

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