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RJK03M1DPA-00#J5A +BOM

N-Channel 30 V 50A (Ta) 45W (Tc) Surface Mount WPAK(3F) (5x6)

Produttore:

Renesas Technology Corp
ProduttorePart #:

RJK03M1DPA-00#J5A
Scheda dati:

RJK03M1DPA-00#J5A Scheda dati (PDF)
FET Type:

N-Channel
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:

50A (Ta)
EDA/CAD Modelli:

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RJK03M1DPA-00#J5A Descrizione generale

N-Channel 30 V 50A (Ta) 45W (Tc) Surface Mount WPAK(3F) (5x6)

Caratteristiche principali

Fast response time
High voltage tolerance
Compact design package

Specifiche

Category	Discrete Semiconductor ProductsTransistorsFETs, MOSFETsSingle FETs, MOSFETs	Series	-
FET Type	N-Channel	Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V	Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	50A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.3mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	-	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	25 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)	±20V	Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	4720 pF @ 10 V
FET Feature	-	Power Dissipation (Max)	45W (Tc)
Operating Temperature	150°C (TJ)	Mounting Type	Surface Mount
Base Product Number	RJK03M1	Product Category	MOSFET
Mounting Style	SMD/SMT	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	30 V
Id - Continuous Drain Current	50 A	Rds On - Drain-Source Resistance	2.3 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	-
Qg - Gate Charge	25 nC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	45 W
Channel Mode	Enhancement	Configuration	Single
Height	mm	Length	mm
Product Type	MOSFET	Factory Pack Quantity	3000
Subcategory	MOSFETs	Width	mm
Unit Weight	0.002646 oz

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