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2SK2225 +BOM

High-gain N-channel power transistor for audio application

Produttore:

Renesas
ProduttorePart #:

2SK2225
Scheda dati:

2SK2225 Scheda dati (PDF)
Part Life Cycle Code:

Transferred
Pin Count:

3
ECCN Code:

EAR99
Case Connection:

ISOLATED
EDA/CAD Modelli:

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2SK2225 Descrizione generale

Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 1500V, 12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3PFM, 3 PIN

Specifiche

Part Life Cycle Code	Transferred	Pin Count	3
ECCN Code	EAR99	Case Connection	ISOLATED
Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	DS Breakdown Voltage-Min	1500 V
Drain Current-Max (Abs) (ID)	2 A	Drain Current-Max (ID)	2 A
Drain-source On Resistance-Max	12 Ω	FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 Code	R-PSFM-T3	Number of Elements	1
Number of Terminals	3	Operating Mode	ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max	150 °C	Polarity/Channel Type	N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs)	50 W	Pulsed Drain Current-Max (IDM)	7 A
Qualification Status	Not Qualified	Surface Mount	NO
Terminal Form	THROUGH-HOLE	Terminal Position	SINGLE
Transistor Application	SWITCHING	Transistor Element Material	SILICON

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

Pagamento

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