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RD07MVS1 +BOM
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
QFN3-
Produttore:
MITSUBISHI ELECTRIC CORP
-
ProduttorePart #:
RD07MVS1
-
Scheda dati:
-
Frequency Range:
175 MHz - 520 MHz
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Output Power:
7W
-
Operating Voltage:
12 V
-
Operating Temperature:
-40°C ~ 85°C
-
EDA/CAD Modelli:
Disponibilità: 7072 PZ
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RD07MVS1 Descrizione generale
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Caratteristiche principali
- Most suitable for color T.V. damper.
- High voltage by mesa design.
- High reliability
Applicazione
- Mobile radio communication devices
- Two-way radios
- Low power linear amplification
- Wireless communication systems
Specifiche
Product Name | RD07MVS1 | Product Type | RF Power Transistor |
Frequency Range | 175 MHz - 520 MHz | Output Power | 7W |
Operating Voltage | 12 V | Operating Temperature | -40°C ~ 85°C |
Politiche di servizio e altro
Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione
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In Stock: 7.072
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