Questo sito web utilizza i cookie. Utilizzando questo sito, acconsenti all'utilizzo dei cookie. Per ulteriori informazioni, dai un'occhiata al nostro politica sulla riservatezza.

Le immagini servono solo come riferimento,

Vedi Specifiche Tecniche

BBY66-02V +BOM

Hyperabrupt Silicon Diode, 12V Variable Capacitance, SC-79

Produttore:

Infineon
ProduttorePart #:

BBY66-02V
Scheda dati:

BBY66-02V Scheda dati (PDF)
IF Max:

50.0 mA
Configuration:

Single
CT / C T:

3.28 (1/4.5V)
VR Max:

12.0 V

E-mail: [email protected]

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

tel: +852 95804164

BBY66-02V Descrizione generale

The Infineon Technologies BBY66-02V high-frequency, low-noise amplifier is a versatile and reliable device that caters to the demanding needs of wireless communication systems. Its broad frequency range of 50 MHz to 4 GHz ensures compatibility with a variety of communication technologies such as GSM, UMTS, LTE, and WLAN. With a noise figure of just 0.6 dB at 900 MHz, this amplifier guarantees crystal-clear signal quality, making it an excellent choice for sensitive applications

Caratteristiche principali

Low reverse leakage current
High reliability
High axial mechanical strength
Fast switching speed
Low thermal resistance

Applicazione

Flexible RF transmitter design
Innovative RF amplifier modules
Robust communication networks

Specifiche

IF max	50.0 mA	Configuration	Single
CT / C T	3.28 (1/4.5V)	VR max	12.0 V
Product Group	VCO and low voltage tuner

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

Pagamento

Metodo di pagamento

TT/bonifico bancario

PayPal

Western Union

Grammo dei soldi

Per canali di pagamento alternativi, contattaci a:

[email protected]

Spedizione e imballaggio

metodo di spedizione

Fedex

UPS

DHL

NTN

Imballaggio

AVAQ determina e confeziona tutti i dispositivi in base ai requisiti di protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD) e il livello di sensibilità all'umidità (MSL)..