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PUMH20 +BOM

NXP Semiconductors

  • Produttore:

    NXP

  • ProduttorePart #:

    PUMH20

  • Scheda dati:

    PUMH20 Scheda dati (PDF) pdf-icon

  • Part Life Cycle Code:

    Active

  • Reach Compliance Code:

    compliant

  • ECCN Code:

    EAR99

  • Date Of Intro:

    2017-02-01

PUMH20 Descrizione generale

NPN/NPN double Resistor-Equipped Transistor (RET) in a very small SOT363 (SC-88) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.NPN/PNP complement: PUMD20PNP/PNP complement: PUMB20

Caratteristiche principali

  • Built-in bias resistors
  • Simplifies circuit design
  • Reduces component count
  • Reduces pick and place costs
  • AEC-Q101 qualified

Applicazione

  • Low current peripheral driver
  • Control of IC inputs
  • Replacement of general-purpose transistors in digital applications

Specifiche

Source Content uid PUMH20 Part Life Cycle Code Active
Reach Compliance Code compliant ECCN Code EAR99
Date Of Intro 2017-02-01 Additional Feature BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
Collector Current-Max (IC) 0.1 A Collector-Base Capacitance-Max 2.5 pF
Collector-Emitter Voltage-Max 50 V Configuration SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
DC Current Gain-Min (hFE) 30 JESD-30 Code R-PDSO-G6
JESD-609 Code e3 Moisture Sensitivity Level 1
Number of Elements 2 Number of Terminals 6
Operating Temperature-Max 150 °C Operating Temperature-Min -65 °C
Peak Reflow Temperature (Cel) 260 Polarity/Channel Type NPN
Power Dissipation-Max (Abs) 0.3 W Reference Standard AEC-Q101; IEC-60134
Surface Mount YES Terminal Finish TIN
Terminal Form GULL WING Terminal Position DUAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) 30 Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON VCEsat-Max 0.15 V

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