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PBSS5160DS +BOM

Bipolar Transistors - BJT

PBSS5160DS Descrizione generale

PNP/PNP low V Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor pair in a small SOT457 (SC-74) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.NPN complement: PBSS4160DS.

Caratteristiche principali

  • Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
  • High collector current capability IC and ICM
  • High collector current gain (hFE) at high IC
  • High efficiency due to less heat generation
  • Smaller required Printed-Circuit Board (PCB) area than for conventional transistors
  • AEC-Q101 qualified

Applicazione

  • Dual low power switches (e.g. motors, fans)
  • Automotive applications

Specifiche

Source Content uid PBSS5160DS Part Life Cycle Code Transferred
Pin Count 6 Reach Compliance Code compliant
ECCN Code EAR99 Collector Current-Max (IC) 1 A
Collector-Emitter Voltage-Max 60 V Configuration SEPARATE, 2 ELEMENTS
DC Current Gain-Min (hFE) 200 JESD-30 Code R-PDSO-G6
JESD-609 Code e3 Moisture Sensitivity Level 1
Number of Elements 2 Number of Terminals 6
Operating Temperature-Max 150 °C Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Polarity/Channel Type PNP Power Dissipation-Max (Abs) 0.45 W
Qualification Status Not Qualified Surface Mount YES
Terminal Finish Tin (Sn) Terminal Form GULL WING
Terminal Position DUAL Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) 30
Transistor Application SWITCHING Transistor Element Material SILICON
Transition Frequency-Nom (fT) 220 MHz

Politiche di servizio e altro

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