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Vedi Specifiche Tecniche

PBSS4260PAN,115 +BOM

60 V, 2 A NPN/NPN low VCEsat (BISS) transistor

Produttore:

Nexperia
ProduttorePart #:

PBSS4260PAN,115
Scheda dati:

PBSS4260PAN,115 Scheda dati (PDF)
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

NPN
Configuration:

Dual
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

60 V
EDA/CAD Modelli:

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PBSS4260PAN,115 Descrizione generale

The PBSS4260PAN is a versatile NPN/NPN low V Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor encased in a leadless medium power DFN2020-6 (SOT1118) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. This transistor offers a compact and convenient solution for various electronic circuits requiring medium power capabilities. Its NPN/PNP complement, the PBSS4260PANP, and PNP/PNP complement, the PBSS5260PAP, further enhance its flexibility in circuit design

Caratteristiche principali

Advanced safety features
Increase efficiency
Improved temperature tolerance

Applicazione

Home automation
Smart appliances
Remote control devices

Specifiche

Product Category	Bipolar Transistors - BJT	Mounting Style	SMD/SMT
Transistor Polarity	NPN	Configuration	Dual
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	60 V	Collector- Base Voltage VCBO	60 V
Emitter- Base Voltage VEBO	7 V	Collector-Emitter Saturation Voltage	70 mV
Maximum DC Collector Current	2 A	Pd - Power Dissipation	2 W
Gain Bandwidth Product fT	140 MHz	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Continuous Collector Current	2 A
DC Collector/Base Gain hfe Min	290	DC Current Gain hFE Max	430
Product Type	BJTs - Bipolar Transistors	Factory Pack Quantity	3000
Subcategory	Transistors	Technology	Si
Part # Aliases	934066889115	Unit Weight	0.000254 oz

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