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Trans RF BJT NPN 10V 0.05A 360mW 3-Pin TO-236AB T/R
TO-236AB-3Produttore:
ProduttorePart #:
PBR941,215
Scheda dati:
Mounting Style:
SMD/SMT
Transistor Polarity:
NPN
Configuration:
Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:
10 V
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Rf Wideband Transistor, Npn, 10V, 8Ghz, 3-Sot-23; Transistor Polarity:Npn; Collector Emitter Voltage Max:10V; Transition Frequency:8Ghz; Power Dissipation:360Mw; Continuous Collector Current:50Ma; No. Of Pins:3Pins; Product Range:- Rohs Compliant: Yes |Nxp PBR941,215
Product Category | Bipolar Transistors - BJT | Mounting Style | SMD/SMT |
Transistor Polarity | NPN | Configuration | Single |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 10 V | Collector- Base Voltage VCBO | 20 V |
Emitter- Base Voltage VEBO | 1.5 V | Maximum DC Collector Current | 50 mA |
Pd - Power Dissipation | 360 mW | Gain Bandwidth Product fT | 8 GHz |
Minimum Operating Temperature | - 65 C | Maximum Operating Temperature | + 150 C |
Continuous Collector Current | 50 mA | DC Collector/Base Gain hfe Min | 50 at 5 mA, 6 V |
DC Current Gain hFE Max | 50 at 5 mA, 6 V | Height | 1 mm |
Length | 3 mm | Product Type | BJTs - Bipolar Transistors |
Factory Pack Quantity | 3000 | Subcategory | Transistors |
Technology | Si | Width | 1.4 mm |
Part # Aliases | 934043060215 | Unit Weight | 0.000282 oz |
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Qtà. | Prezzo unitario | Est. Prezzo |
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