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NX8350TS33-AZ +BOM

271 to 1331 nm AlGaInAs MQW-DFB Laser Diode for 40 G BASE-LR4 Application

Produttore:

RENESAS
ProduttorePart #:

NX8350TS33-AZ
Scheda dati:

NX8350TS33-AZ Scheda dati (PDF)
Tipologia di prodotto:

Laser Diodes

NX8350TS33-AZ Descrizione generale

The NX8350TS is a 1 271 to 1 331 nm Multiple Quantum Well (MQW) structured Distributed Feed-Back (DFB) laser diode TOSAs (transmitter optical subassembly) with InGaAs monitor PIN-PD in an LC receptacle type package designed for CFP transceiver.

Caratteristiche principali

Internal optical isolator
Peak emission wavelength: 1 271/1 291/1 311/1 331 nm
Optical output power: P_f = 2 dBm
Low threshold current: I_th = 8 mA TYP. @ T_C = 25°C
Wide operating temperature range: T_C = −5 to +85°C
InGaAs monitor PIN-PD
IEEE802.3ba compliant

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AVAQ determina e confeziona tutti i dispositivi in base ai requisiti di protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD) e il livello di sensibilità all'umidità (MSL)..