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270/1 290/1 310/1 330/1 350 nm AlGaInAs MQW-DFB Laser Diode for 9.8 Gb/s CPRI and 10G E-PON ONU Application
Produttore:
ProduttorePart #:
NX6351GP29-AZ
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The NX6351GP series is a 1 270/1 290/1 310/1 330/1 350 nm Multiple Quantum Well (MQW) structured Distributed Feed-Back (DFB) laser diode with InGaAs monitor PIN-PD.
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NX8349TS-AZ
RENESAS
310 nm AlGaInAs MQW-DFB Laser Diode for 10 Gb/s Application
NX6350EP33-AZ
RENESAS
270/1 290/1 310/1 330 nm AlGaInAs MQW-DFB Laser Diode for 40GBASE-LR4 Application
NX6350EP31-AZ
RENESAS
270/1 290/1 310/1 330 nm AlGaInAs MQW-DFB Laser Diode for 40GBASE-LR4 Application
NX6350EP27-AZ
RENESAS
270/1 290/1 310/1 330 nm AlGaInAs MQW-DFB Laser Diode for 40GBASE-LR4 Application
NX6352GP29-AZ
RENESAS
270/1 290/1 310/1 330/1 350 nm AlGaInAs MQW-DFB Laser Diode for 9.8 Gb/s CPRI and 10G E-PON ONU Application