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NX6353EP31-AZ +BOM
270/1 290/1 310/1 330/1 350 nm AlGaInAs MQW-DFB Laser Diode for 9.8Gbps CPRI, 10G Ethernet Application
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Produttore:
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ProduttorePart #:
NX6353EP31-AZ
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Scheda dati:
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Tipologia di prodotto:
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Disponibilità: 7241 PZ
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NX6353EP31-AZ Descrizione generale
The NX6353EP series is a 1 270/1 290/1 310/1 330/1 350 nm Multiple Quantum Well (MQW) structured Distributed Feed-Back (DFB) laser diode with InGaAs monitor PIN-PD.
Caratteristiche principali
- Optical output power: PO = 8.5 mW
- Low threshold current: Ith = 7 mA
- Differential efficiency: ηd = 0.35 W/A
- Wide operating temperature range: TC = −40 to +85°C
- InGaAs monitor PIN-PD
- CAN package: φ 5.6 mm
- Focal point: 6.2 mm
Politiche di servizio e altro
Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione
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[email protected]metodo di spedizione
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Prodotto 365 giorni
Qualità garantita
Promettiamo di fornire un servizio di garanzia della qualità di 365 giorni per tutti i nostri prodotti.
In Stock: 7.241
Minimum Order: 1
Qtà. | Prezzo unitario | Est. Prezzo |
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