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NSVBC114YDXV6T1G +BOM

Pre-biased SS RSTR XSTR TR bipolar transistors for efficient circuitry

Produttore:

onsemi
ProduttorePart #:

NSVBC114YDXV6T1G
Scheda dati:

NSVBC114YDXV6T1G Scheda dati (PDF)
Compliance:

PbAHP
Case Outline:

463A-01
MSL Type:

1
MSL Temp (°C):

260
EDA/CAD Modelli:

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NSVBC114YDXV6T1G Descrizione generale

Say goodbye to complex external resistor bias networks and welcome the future of digital transistors with the NSVBC114YDXV6T1G. With its cutting-edge design and innovative features, this series is set to revolutionize the way we approach system integration. By leveraging the power of a monolithic bias network, this product offers a cost-effective and space-saving solution for a wide range of applications. Upgrade your designs today with the efficiency and convenience of the NSVBC114YDXV6T1G

Caratteristiche principali

Increases Storage Capacity
Faster Data Transfer Rates
Eases Installation Process
Reduces Heat Generation

Specifiche

Status	Active	Compliance	PbAHP
Case Outline	463A-01	MSL Type	1
MSL Temp (°C)	260	Container Type	REEL
Container Qty.	4000	ON Target	N
Polarity	Dual NPN	IC Continuous (A)	0.1
V(BR)CEO Min (V)	50	hFE Min	80
R1 (kΩ)	10	R2 (kΩ)	47
R1/R2 Typ	0.21	Vi(off) Max (V)	0.5
Vi(on) Min (V)	1.4	Pricing ($/Unit)	$0.088

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AVAQ determina e confeziona tutti i dispositivi in base ai requisiti di protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD) e il livello di sensibilità all'umidità (MSL)..