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NSV1C201MZ4T1G +BOM

2.0 A, 100 V Low VCE(sat) NPN Bipolar Transistor

Produttore:

ON Semiconductor, LLC
ProduttorePart #:

NSV1C201MZ4T1G
Scheda dati:

NSV1C201MZ4T1G Scheda dati (PDF)
Case Outline:

0.0318
MSL Temp (°C):

260
Container Type:

REEL
EDA/CAD Modelli:

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Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

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NSV1C201MZ4T1G Descrizione generale

As technology continues to evolve, the demand for efficient energy control solutions remains a top priority for manufacturers across industries. With its high current gain capability and low saturation voltage VCE(sat), the NSV1C201MZ4T1G transistor from ON Semiconductor offers a reliable and cost-effective option for achieving optimal performance in low voltage, high speed switching applications. Whether you're designing cutting-edge consumer electronics or advanced automotive systems, the NSV1C201MZ4T1G provides the precision and efficiency needed to stay ahead of the curve in today's competitive marketplace

Caratteristiche principali

Environmental Stewardship through Responsible Manufacturing Practices
PbFree and Halogen-Free Design for Increased Safety and Reliability
Proactive Approach to Quality Control and Continuous Improvement

Applicazione

Efficient power usage
Energy-saving capabilities
Optimized power consumption

Specifiche

Status	Active	Case Outline	0.0318
MSL Temp (°C)	260	Container Type	REEL

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

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AVAQ determina e confeziona tutti i dispositivi in base ai requisiti di protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD) e il livello di sensibilità all'umidità (MSL)..