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NP50P06KDG-E1-AY +BOM

Low Voltage Power MOSFET NP50P06KDG-E1-AY

Produttore:

Renesas Technology Corp
ProduttorePart #:

NP50P06KDG-E1-AY
Scheda dati:

NP50P06KDG-E1-AY Scheda dati (PDF)
Tags:

NP50P06K, NP50P06, NP50P, NP50, NP5
FET Type:

P-Channel
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

60 V
EDA/CAD Modelli:

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NP50P06KDG-E1-AY Descrizione generale

P-Channel 60 V 50A (Tc) 1.8W (Ta), 90W (Tc) Surface Mount TO-263

Caratteristiche principali

Safe operating area SOA.
Thermal shutdown protection TSD.
Overcurrent limiting OCL.
Soft-start circuitry SSC.
Remote sense feedback RSB.

Specifiche

Product Category	FETs - Single	Tags	NP50P06K, NP50P06, NP50P, NP50, NP5
FET Type	P-Channel	Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	60 V	Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	50A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Rds On (Max) @ Id, Vgs	17mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	95 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V	Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	5000 pF @ 10 V
Power Dissipation (Max)	1.8W (Ta), 90W (Tc)	Operating Temperature	175°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Base Product Number	NP50P06

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