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MWE6IC9100NBR1 +BOM

MWE6IC9 amplifies cellular signals with high power and low noise for reliable communication

Produttore:

Nxp
ProduttorePart #:

MWE6IC9100NBR1
Scheda dati:

MWE6IC9100NBR1 Scheda dati (PDF)
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REEL
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EDA/CAD Modelli:

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MWE6IC9100NBR1 Descrizione generale

The MWE6IC9100NBR1 RF power transistor from NXP Semiconductors is a top-of-the-line silicon NPN microwave power transistor specifically designed for 900 MHz applications. With a maximum power output of 100 watts and a gain of 12 dB, this transistor is a powerhouse in its category. Operating within a frequency range of 860-960 MHz, it can handle high power levels with exceptional linearity, ensuring reliable performance in demanding conditions

Caratteristiche principali

Pulse repetition frequency up to 100 kHz
Minimum pulse width of 10 ns
Peak current limit protection
Safe operating area monitoring

Applicazione

Efficient wireless communication
Seamless signal distribution
Secure industrial networks

Specifiche

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Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

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