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MW7IC2425GNR1 +BOM

RF MOSFET Transistors HV7 2400MHZ 4W TO270WB16G

Produttore:

NXP Semiconductor
ProduttorePart #:

MW7IC2425GNR1
Scheda dati:

MW7IC2425GNR1 Scheda dati (PDF)
Transistor Polarity:

N-Channel
Technology:

Si
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:

65 V
Operating Frequency:

2.45 GHz
EDA/CAD Modelli:

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MW7IC2425GNR1 Descrizione generale

The MW7IC2425NR1, MW7IC2425GNR1 and MW7IC2425NBR1 are designed primarily for CW large-signal output and driver applications at 2450 MHz. Devices are suitable for use in industrial, medical and scientific applications.

Caratteristiche principali

Typical CW Performance: VDD = 28 Volts, IDQ1 = 55 mA, IDQ2 = 195 mA, Pout = 25 Watts CW, f = 2450 MHzPower Gain: 27.7 dBPower Added Efficiency: 43.8%
Capable of Handling 10:1 VSWR, @ 28 Vdc, 2450 MHz, 25 Watts CW Output Power
Qualified Up to a Maximum of 28 VDD Operation
Integrated Quiescent Current Temperature Compensation with Enable/Disable Function
Integrated ESD Protection
225°C Capable Plastic Package
RoHS Compliant.
In Tape and Reel. R1 Suffix = 500 Units per 44 mm, 13 inch Reel.

Specifiche

Product Category:	RF MOSFET Transistors	Transistor Polarity:	N-Channel
Technology:	Si	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	65 V
Operating Frequency:	2.45 GHz	Gain:	27.7 dB
Output Power:	25 W	Minimum Operating Temperature:	- 65 C
Maximum Operating Temperature:	+ 150 C	Mounting Style:	SMD/SMT
Packaging:	MouseReel	Channel Mode:	Enhancement
Configuration:	Dual	Height:	2.64 mm
Length:	17.58 mm	Moisture Sensitive:	Yes
Pd - Power Dissipation:	25 W	Product Type:	RF MOSFET Transistors
Series:	MW7IC2425N	Factory Pack Quantity:	500
Subcategory:	MOSFETs	Type:	RF Power MOSFET
Vgs - Gate-Source Voltage:	10 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	1.9 V
Width:	9.07 mm	Part # Aliases:	935319487528
Unit Weight:	0.056385 oz

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