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MW7IC2020NT1 +BOM

Single W-CDMA RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 1805-2170 MHz, 2.4 W Avg., 28 V

Produttore:

NXP Semiconductor
ProduttorePart #:

MW7IC2020NT1
Scheda dati:

MW7IC2020NT1 Scheda dati (PDF)
F<sub>i(RF)</sub> [max] (MHz):

2170
Number Of Pins:

24
Amp Class:

AB
Test Signal:

WCDMA
EDA/CAD Modelli:

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MW7IC2020NT1 Descrizione generale

RF Mosfet 28 V 40 mA 2.14GHz 32.6dB 2.4W 24-PQFN (8x8)

Caratteristiche principali

High power amplifier for wireless devices
Frequency agile and adjustable bias control
Robust ESD protection up to 2 kV

Applicazione

Cell tower equipment
RF front-end modules
Wireless data transmission

Specifiche

f<sub>i(RF)</sub> [max] (MHz)	2170	Number of pins	24
Amp Class	AB	Test Signal	WCDMA
Supply Voltage (Typ) (V)	28	Class	AB
Die Technology	LDMOS	Thermal Resistance (Spec) (℃/W)	1.9
P1dB (Typ) (dBm)	43	Security Status	COMPANY PUBLIC
Frequency (Min-Max) (MHz)	1805,2170	Efficiency (Typ) (%)	17
Frequency Band (Hz)	1805000000,2170000000	Description	Single W-CDMA RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 1805-2170 MHz, 2.4 W Avg., 28 V
f<sub>i(RF)</sub> [min] (MHz)	1805	Output Power (Typ) (W) @ Intermodulation Level at Test Signal	2.4 @ AVG
P1dB (Typ) (W)	20	Gain (Typ) (dB)	32.6
Power Gain (Typ) (dB) @ f (MHz)	32.6 @ 2140	Frequency (Max) (MHz)	2170
Frequency (Min) (MHz)	1805	Frequency (Min-Max) (GHz)	1.8050001 to 2.17
f<sub>range</sub> [max] (MHz)	2170	f<sub>range</sub> [min] (MHz)	1805
Rth(j-a) (K/W)	1.9	Matching	input and output impedance matching
Modes of Operation	wideband code division multiple access

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