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Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 60V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
TO220-5Produttore:
ProduttorePart #:
MTP40N06M
Scheda dati:
Part Life Cycle Code:
Obsolete
ECCN Code:
EAR99
HTS Code:
8541.29.00.95
Additional Feature:
CURRENT SENSING
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Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 60V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Part Life Cycle Code | Obsolete | Reach Compliance Code | |
ECCN Code | EAR99 | HTS Code | 8541.29.00.95 |
Additional Feature | CURRENT SENSING | Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
DS Breakdown Voltage-Min | 60 V | Drain Current-Max (ID) | 40 A |
Drain-source On Resistance-Max | 0.04 Ω | FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
Feedback Cap-Max (Crss) | 400 pF | JESD-30 Code | R-PSFM-T5 |
JESD-609 Code | e0 | Number of Elements | 1 |
Number of Terminals | 5 | Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Operating Temperature-Max | 150 °C | Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
Power Dissipation Ambient-Max | 125 W | Power Dissipation-Max (Abs) | 125 W |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 120 A | Qualification Status | Not Qualified |
Surface Mount | NO | Terminal Finish | TIN LEAD |
Terminal Form | THROUGH-HOLE | Terminal Position | SINGLE |
Transistor Application | SWITCHING | Transistor Element Material | SILICON |
Turn-off Time-Max (toff) | 160 ns | Turn-on Time-Max (ton) | 80 ns |
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Qtà. | Prezzo unitario | Est. Prezzo |
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