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MRF171A +BOM

High-power, high-frequency switching device

Produttore:

MACOM Technology Solutions
ProduttorePart #:

MRF171A
Scheda dati:

MRF171A Scheda dati (PDF)
Technology:

MOSFET
Configuration:

N-Channel
Frequency:

30MHz ~ 200MHz
Gain:

19.5dB
EDA/CAD Modelli:

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MRF171A Descrizione generale

RF Mosfet 28 V 25 mA 30MHz ~ 200MHz 19.5dB 45W 211-07, Style 2

Caratteristiche principali

N–Channel Enhancement Mode MOSFET
Excellent Thermal Stability Suited for Cass A Operation
Guaranteed performance at 150 MHz, 28 Vdc: Output power = 45 W, Power gain = 17 dB (min)' Efficiency = 60% (min)
Typical Data for Power Amplifiers Applications in Industrial, Commercial and Amateur Radio Equipment:
Typical performance at 30 MHz, 28 Vdc: Output Power = 30 W, Power gain = 20 dB (Typ.) (PEP), Efficiency = 50% (typ.), IMD(d3) (30 W PEP) –32 dB (Typ.)
Gold Top Metal
Low Crss – 8 pF @ VDS = 28 V
100%Tested for Load Mismatch at all Phase Angles with 30:1 VSWR
Facilitates Manual Gain Controll, ALC and Modulation Techniques
Aerospace and Defense
ISM

Applicazione

Gain: 17 dB
Pout: 45 W
Efficiency: 60 %
Min Frequency: 100 MHz
Max Frequency: 200 MHz

Specifiche

Category	Discrete Semiconductor ProductsTransistorsFETs, MOSFETsRF FETs, MOSFETs	Series	-
Technology	MOSFET	Configuration	N-Channel
Frequency	30MHz ~ 200MHz	Gain	19.5dB
Voltage - Test	28 V	Current Rating (Amps)	4.5A
Noise Figure	-	Current - Test	25 mA
Power - Output	45W	Voltage - Rated	65 V
Base Product Number	MRF171

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

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