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MRF137 +BOM
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211-07-3-
Produttore:
-
ProduttorePart #:
MRF137
-
Scheda dati:
-
Transistor Polarity:
N-Channel
-
Technology:
Si
-
Id - Continuous Drain Current:
5 A
-
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:
65 V
Disponibilità: 6248 PZ
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MRF137 Descrizione generale
Designed with a maximum collector-emitter voltage of 65 volts and a maximum collector current of 8 amperes, the MRF137 is built to handle high levels of RF power with ease. Its input and output impedance of 50 ohms ensure seamless integration into RF applications that demand a 50-ohm impedance matching network for optimal performance
Caratteristiche principali
- Frequency stability better than 100ppm
- Suitable for industrial control systems
- Wide supply voltage range of 8V to 24V
Applicazione
- RF amplifier for mobile radios
- For industrial and medical use
- Used in military communications
Specifiche
Product Category | RF MOSFET Transistors | Transistor Polarity | N-Channel |
Technology | Si | Id - Continuous Drain Current | 5 A |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 65 V | Operating Frequency | 400 MHz |
Gain | 13 dB | Output Power | 30 W |
Minimum Operating Temperature | - 65 C | Maximum Operating Temperature | + 150 C |
Mounting Style | SMD/SMT | Configuration | Single |
Pd - Power Dissipation | 100 W | Product Type | RF MOSFET Transistors |
Factory Pack Quantity | 20 | Subcategory | MOSFETs |
Vgs - Gate-Source Voltage | 40 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 3 V |
Unit Weight | 0.426383 oz |
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In Stock: 6.248
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