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MRF134 +BOM

Low noise figure for sensitive receiver system

Produttore:

Macom
ProduttorePart #:

MRF134
Scheda dati:

MRF134 Scheda dati (PDF)
Transistor Polarity:

N-Channel
Technology:

Si
Id - Continuous Drain Current:

900 mA
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:

65 V

E-mail: [email protected]

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

tel: +852 95804164

MRF134 Descrizione generale

RF Mosfet 28 V 50 mA 400MHz 10.6dB ~ 14dB 5W 211-07, Style 2

Caratteristiche principali

N–Channel enhancement mode
Guaranteed 28V, 150 MHz Performance Output Power = 5.0 watts Minimum Gain = 11 dB Efficiency = 55% (Typ.
Smal landLarge Signal Characterization
Typical Performance at 400 MHz, 28V, 5.0W Output = 10.6 dB gain
100% Test for Load Mismatch at all Phase Angles with 30:1 VSWR
Low Noise Figure: 2.0 dB (Typ.) at 200 mA, 150 MHz
Excellent Thermal Stability, Ideally Suited for Class A Operation
100%Test for Load Mismatch at allPhase Angel with 30:1 VSWR
Aerospace and Defense
ISM

Applicazione

Min Frequency: 5 MHz
Pout: 5 W
Gain: 11 dB
Efficiency: 50 %
Max Frequency: 400 MHz

Specifiche

Product Category	RF MOSFET Transistors	Transistor Polarity	N-Channel
Technology	Si	Id - Continuous Drain Current	900 mA
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	65 V	Operating Frequency	400 MHz
Gain	11 dB	Output Power	5 W
Minimum Operating Temperature	- 65 C	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Mounting Style	SMD/SMT	Configuration	Single
Pd - Power Dissipation	17.5 W	Product Type	RF MOSFET Transistors
Factory Pack Quantity	20	Subcategory	MOSFETs
Type	RF Power MOSFET	Vgs - Gate-Source Voltage	40 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	3.5 V	Unit Weight	0.321169 oz

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

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