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Vedi Specifiche Tecniche

MMBT5550 +BOM

NPN Epitaxial Silicon Transistor

Produttore:

Rectron
ProduttorePart #:

MMBT5550
Scheda dati:

MMBT5550 Scheda dati (PDF)
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

NPN
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

140 V
EDA/CAD Modelli:

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Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

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Caratteristiche principali

This device is designed for general purpose high voltage amplifiers and gas discharge display drivers.

Applicazione

This product is general usage and suitable for many different applications.

Specifiche

Product Category	Bipolar Transistors - BJT	Mounting Style	SMD/SMT
Transistor Polarity	NPN	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	140 V	Collector- Base Voltage VCBO	160 V
Emitter- Base Voltage VEBO	6 V	Collector-Emitter Saturation Voltage	250 mV
Maximum DC Collector Current	600 mA	Pd - Power Dissipation	225 mW
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Continuous Collector Current	600 mA	DC Collector/Base Gain hfe Min	60
DC Current Gain hFE Max	250	Product Type	BJTs - Bipolar Transistors
Factory Pack Quantity	3000	Subcategory	Transistors
Technology	Si

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

Pagamento

Metodo di pagamento

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Spedizione e imballaggio

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Imballaggio

AVAQ determina e confeziona tutti i dispositivi in base ai requisiti di protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD) e il livello di sensibilità all'umidità (MSL)..